Fisica dei dispositivi integrati (2004/2005)

Corso a esaurimento

Codice insegnamento
4S00034
Docente
Francesca Monti
crediti
5
Settore disciplinare
FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Lingua di erogazione
Italiano
Periodo
1° Q - 2° anno e successivi dal 27-set-2004 al 26-nov-2004.

Orario lezioni

1° Q - 2° anno e successivi
Giorno Ora Tipo Luogo Note
lunedì 9.30 - 11.30 lezione Aula C  
giovedì 11.30 - 12.30 lezione Aula C  
venerdì 10.30 - 12.30 lezione Aula C  

Obiettivi formativi

Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandolgli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.

Programma

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Richiami di Fisica 1 e 2: campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
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Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame): Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
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Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori: struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
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Effetto Hall
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Cenni alla teoria a bande: banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
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Giunzione p-n: giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
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Diodo a giunzione: circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
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(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati: diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
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Transistor a effetto di campo: MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
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Transistor bipolare a giunzione: non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
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Altri dispositivi a semiconduttore: fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
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Circuiti digitali elementari: gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
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(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti

Il corso viene offerto al I periodo del quarto e quinto anno del Corso di Laurea in Informatica (vecchio ordinamento) e al I periodo del primo anno del Corso di Laurea Specialistica in Informatica e comporta un impegno di 40 ore di lezione frontale.

Testi di riferimento
Autore Titolo Casa editrice Anno ISBN Note
Paolo Spirito Elettronica digitale (Edizione 1) McGraw-Hill 1998 8838607664
Jacob Millman, Christos C. Halkias Microelettronica (Edizione 1) Bollati-Boringhieri 1997 8833950476
Jacob Millman, Arvin Grabel Microelettronica (Edizione 2) McGraw-Hill 1994 8838606781

Modalità d'esame

Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.

Materiale didattico

Documenti

Statistiche per i requisiti di trasparenza (Attuazione Art. 2 del D.M. 31/10/2007, n. 544)

Statistiche esiti
Esiti Esami Esiti Percentuali Media voti Deviazione Standard
Positivi 50.0% 25 0
Respinti --
Assenti --
Ritirati --
Annullati 50.0%
Distribuzione degli esiti positivi
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 30 e Lode
0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 100.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0%

Valori relativi all'AA 2004/2005 calcolati su un totale di 2 iscritti. I valori in percentuale sono arrotondati al numero intero più vicino.