The Physics of Integrated Devices (2004/2005)

Course partially running

Course code
4S00034
Name of lecturer
Francesca Monti
Number of ECTS credits allocated
5
Academic sector
FIS/01 - EXPERIMENTAL PHYSICS
Language of instruction
Italian
Period
First four-month term for the second year onwards dal Sep 27, 2004 al Nov 26, 2004.

Lesson timetable

First four-month term for the second year onwards
Day Time Type Place Note
Monday 9:30 AM - 11:30 AM lesson Lecture Hall C  
Thursday 11:30 AM - 12:30 PM lesson Lecture Hall C  
Friday 10:30 AM - 12:30 PM lesson Lecture Hall C  

Learning outcomes

Scopo del corso è fornire allo studente la conoscenza dei principi fisici di funzionamento dei dispositivi a semiconduttore e delle porte logiche di base realizzate mediante la tecnologia planare dei circuiti integrati. L'obiettivo è di mettere lo studente in grado di confrontare le diverse famiglie logiche in termini dei parametri ficici che ne caratterizzano il comportamento e, più in generale, di stimolarne lo spirito critico e la sensibilità verso le grandezze fisiche in gioco, insegnandolgli ad analizzare e valutare il comportamento dei sistemi fisici corrispondenti ad uno schema logico.

Syllabus

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Richiami di Fisica 1 e 2: campo elettrico, energia potenziale e potenziale, carica elementare e massa di un atomo, elettronvolt, comportamento elettrico dei materiali, dipendenza della resistività dalla temperatura
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Breve introduzione alla Meccanica Quantistica (non oggetto d'esame): Quantizzazione della luce: radiazione di corpo nero, effetto fotoelettrico; quantizzazione della materia: spettri atomici di emissione e assorbimento, modello di Bohr per l'atomo di idrogeno, esperimento di Stern-Gerlach; comportamento ondulatorio della materia: relazione di De Broglie. Principio di indeterminazione
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Struttura cristallina e conduzione nei metalli e nei semiconduttori: struttura atomica e tavola periodica degli elementi; struttura cristallina e corrente di conduzione nei metalli, modello a gas di elettroni; struttura cristallina e corrente di conduzione nei semiconduttori, modello a legame, il concetto di lacuna; semiconduttori drogati, corrente di diffusione, relazione di Einstein, corrente totale nei semiconduttori
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Effetto Hall
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Cenni alla teoria a bande: banda di valenza e di conduzione, gap di energia proibita, classificazione dei materiali secondo la teoria a bande, semiconduttori drogati dal punto di vista della teoria a bande
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Giunzione p-n: giunzione non polarizzata e polarizzata, caratteristica tensione corrente per giunzioni di Silicio e di Germanio, caratteristica corrente-tensione in polarizzazione diretta e inversa, breakdown
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Diodo a giunzione: circuito raddrizzatore, diodo Zener, porte OR/AND a diodi, tempi di commutazione
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(*) Tecniche di fabbricazione dei dispositivi e dei circuiti integrati: diffusione, crescita epitassiale, impiantazione ionica; i processi fondamentali per la fabbricazione dei circuiti integrati: ossidazione, fotolitografia, drogaggio; esempio di realizzazione di un circuito integrato
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Transistor a effetto di campo: MOSFET ad arricchimento e a svuotamento, a canale n e a canale p, tecniche di realizzazione, caratteristiche di uscita e di trasferimento; invertitore ideale: margini di rumore; invertitori a MOSFET con carico resistivo, con carico attivo ad arricchimento (saturato e nella regione attiva) e con carico a svuotamento: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore; CMOS, invertitore a CMOS: caratteristiche di trasferimento e margini di rumore
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Transistor bipolare a giunzione: non polarizzato e polarizzato, andamento delle correnti nel transistor polarizzato, effetto Early, caratteristiche di ingresso e di uscita in configurazione emettitore comune, interdizione, regione attiva e saturazione; invertitore RTL: caratteristica di trasferimento e margini di rumore, tempi di commutazione; il transistor Schottky; circuiti integrati in tecnologia bipolare, diodi, resistenze e capacità
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Altri dispositivi a semiconduttore: fotodiodo, fototransistor, cella fotovoltaica, dispositivi ad accoppiamento di carica (CCD): struttura, principio di funzionamento e applicazioni
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Circuiti digitali elementari: gate di base in tecnologia MOS: NOR e NAND MOS, NOR e NAND CMOS; gate di base in tecnologia bipolare: NAND DTL, NAND HTL e NAND TTL; OR/NOR ECL; confronto tra famiglie logiche: ritardo di propagazione, potenza dissipata, fan-out
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(*) Parti che non sono direttamente oggetto d'esame ma i cui concetti sono fondamentali al successivo svolgimento del programma e devono essere acquisiti

Il corso viene offerto al I periodo del quarto e quinto anno del Corso di Laurea in Informatica (vecchio ordinamento) e al I periodo del primo anno del Corso di Laurea Specialistica in Informatica e comporta un impegno di 40 ore di lezione frontale.

Reference books
Author Title Publisher Year ISBN Note
Paolo Spirito Elettronica digitale (Edizione 1) McGraw-Hill 1998 8838607664
Jacob Millman, Christos C. Halkias Microelettronica (Edizione 1) Bollati-Boringhieri 1997 8833950476
Jacob Millman, Arvin Grabel Microelettronica (Edizione 2) McGraw-Hill 1994 8838606781

Assessment methods and criteria

Si richiede il superamento di una prova orale concernente il programma svolto a lezione.

Teaching aids

Documents

Statistics about transparency requirements (Attuazione Art. 2 del D.M. 31/10/2007, n. 544)

Statistics
Outcomes Exams Outcomes Percentages Average Standard Deviation
Positive 50.0% 25 0
Rejected --
Absent --
Ritirati --
Canceled 50.0%
Distribuzione degli esiti positivi
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 30 e Lode
0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 100.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0% 0.0%

Data from AA 2004/2005 based on 2 students. I valori in percentuale sono arrotondati al numero intero più vicino.