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1 03-oct Giov 2 Introduzione, leggi dell'elettrostatica, campo elettrico, potenziale elettrostatico, forza di Lorentz
1 04-oct Ven 3 Conduzione nei metalli, modello di Drude, legge di Ohm, reti elettriche lineari, teorema di Thevenin, teorema di Norton
2 10-oct Giov 2 Elementi di struttura della materia, legami cristallini, atomo di Bohr
2 11-oct Ven 3 Elementi di meccanica quantistica, struttura dell'atomo, modello a bande di energia, isolanti, semiconduttori, metalli, distribuzione di Fermi-Dirac
3 17-oct Giov 2 Legame covalenti, semiconduttori intrinseci, semiconduttori drogati tipo p e tipo n, corrente di deriva e corrente di diffusione
3 18-oct Ven 3 Equazione di continuita', effetto Hall, Memristor, giunzione p-n
4 24-oct Giov 2 Diodo, polarizzazione diretta e inversa, bande di energia, potenziale di contatto
4 25-oct Ven 3 Caratteristica tensione-corrente del diodo, modello diodo reale, capacita' della giunzione inversa, diodo varicap, diodo Zener
5 31-oct Giov 2 Applicazioni diodo : circuiti raddrizzatori, clamper, duplicatore, ponte di Graetz
6 07-nov Giov 2 Capacita' della giunzione diretta, tempo di commutazione, diodo tunnel, diodo Schottky
6 08-nov Ven 3 Dispositivi optoelettronici: fotodiodo, diodo p-I-n, LED, cella fotovoltaica, diodo laser, laser a cascata quantica. Esercizi microcap : introduzione e descrizione del programma.
7 14-nov Giov 2 Transistor bopolar a giunzione (BJT), polarizzazione normale, barriera di pootenziale, bande di energia, distribuzione delle correnti
7 15-nov Ven 3 BJT: montaggio a base comune e parametro alfa, montaggio ad emettitore comune e guadagno in corrente, derivazione equazioni Ebers-Moll
8 21-nov Giov NO
8 22-nov Ven NO
9 28-nov Giov NO
9 29-nov Ven 3 BJT: caratteristiche uscita/ingresso base comune, emettitore comune, collettore comune, effetto Early, Ebers-Moll modello completo
10 05-dec Giov 2 BJT : interruttore, invertitore, RTL, sorgente di corrente, reazione di emettitore, reazione di collettore
10 06-dec Ven 3 BJT : valori tipici delle tensioni, cut-off, saturazione, valori massimi tensioni; tempi di risposta; regime sinusoidale: amplificatore base comune, emettitore comune, collettore comune
11 12-dec Giov 2 Parametri ibridi BJT; transistor a ad effetto di campo a giunzione JFET, principio di funzionamento, caratteristiche tensione corrente
11 13-dec Ven 3 MOSFET: principio di funzionamento, caratteristiche tensione-corrente, transconduttanza, resistenza di drain, regime sinusidale per piccoli segnali. Esercizi microcap : RC analisi temporale, diodo analisi DC, circuito raddrizzatore analisi temporale, BJT analisi DC
12 19-dec Giov 2 FET : confronto JFET et MOSFET, polarizzazione JFET, amplificatore source comune, drain comune, gate comune; resistenza comandata da tensione; interruttore; invertitore JFET; invertitore MOSFET; logica n-MOS, logica CMOS
12 20-dec Ven 3 CMOS : analisi della caratteristica ingresso-uscita, porta logica NOT. Esercizi microcap : invertitore BJT analisi dinamica, n-MOS analisi DC, p-MOS analisi DC, invertitore n-MOS con resistenza analisi dinamica, invertitore CMOS analisi dinamica
13 09-janv Giov 2 Porte logiche CMOS
13 10-janv Ven 3 Dispositivi display e schermi - esercizi microcap
tot. 55